Μοντέλο EKV MOSFET

Από τη Βικιπαίδεια, την ελεύθερη εγκυκλοπαίδεια
Μετάβαση σε: πλοήγηση, αναζήτηση

Το μοντέλο EKV Mosfet είναι ένα μαθηματικό μοντέλο των Metal-Oxide Semiconductor τρανζίστορ πεδιακού φαινομένου (Field-Effect Transistors), το οποίο είναι σχεδιασμένο για την προσομοίωση κυκλωμάτων και την σχεδίαση αναλογικών κυκλωμάτων [1].

Αναπτύχθηκε από τους C. C. Enz, F. Krummenacher, και E. A. Vittoz (εξ ου και τα αρχικά EKV) περί του 1995, βασισμένο εν μέρει σε εργασία που είχαν κάνει την δεκαετία του 1980 [2]. Σε αντίθεση με απλούστερα μοντέλα, όπως το μοντέλο του τετραγωνικού νόμου (Quadratic Model), το μοντέλο EKV είναι ακριβές ακόμα και όταν το MOSFET λειτουργεί στην περιοχή κάτω από την τάση κατωφλίου (subthreshold region) [3]. Επιπλέον, περιγράφει πολλά ειδικά φαινόμενα που εμφανίζονται σχεδίαση ολοκληρωμένων κυκλωμάτων με υπομικρομετρικές (submicron) τεχνολογίες CMOS.

Αναφορές[Επεξεργασία | επεξεργασία κώδικα]

  1. Enz, C. C.; Krummenacher, F. & Vittoz, E.A., "An Analytical MOS Transistor Model Valid in All Regions of Operation and Dedicated to Low-Voltage and Low-Current Applications", Analog Integrated Circuits and Signal Processing Journal on Low-Voltage and Low-Power Design 8: 83-114, July 1995
  2. Enz, C. C.; Krummenacher, F. & Vittoz, E.A., "A CMOS Chopper Amplifier", IEEE Journal of Solid-State Circuits 22 (3): 335-342, June 1987
  3. Π.χ. όταν Vbulk=Vsource, τότε το MOSFET είναι στην περιοχή κάτω από την τάση κατωφλίου όταν Vgate-source < VThreshold

Δείτε επίσης[Επεξεργασία | επεξεργασία κώδικα]

Εξωτερικοί σύνδεσμοι[Επεξεργασία | επεξεργασία κώδικα]

Στο λήμμα αυτό έχει ενσωματωθεί κείμενο από το λήμμα EKV MOSFET Model της Αγγλικής Βικιπαίδειας, η οποία διανέμεται υπό την GNU FDL και την CC-BY-SA 3.0. (ιστορικό/συντάκτες).