Μετάβαση στο περιεχόμενο

Πεντοξείδιο του τανταλίου

Από τη Βικιπαίδεια, την ελεύθερη εγκυκλοπαίδεια
Πεντοξείδιο του τανταλίου
Ονόματα
ΟνοματολογίαIUPAC
Ταντάλιο(V) οξείδιο
ΣυστηματικήΟνοματολογίαIUPAC
Διταντάλιο πεντοξείδιο
Αναγνωριστικά
1314-61-0 ΝαιY
ChemSpider 452513 N

InChI=1S/5O.2Ta
Jmol 3Δ Πρότυπο Image
PubChem 518712
O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O
UNII OEZ64Z53M4 ΝαιY
Ιδιότητες
Ta2O5
Μοριακή μάζα 441,893 g/mol
Εμφάνιση λευκή, άοσμη σκόνη
Πυκνότητα β-Ta2O5 = 8,18 g/cm3[1]
α-Ta2O5 = 8,37 g/cm3
Σημείο τήξης 1,872 °C (3,402 °F; 2,145 K)
Διαλυτότητα στο νερό αμελητέα
Διαλυτότητα αδιάλυτο σε οργανικούς διαλύτες και στα περισσότερα ανόργανα οξέα, αντιδρά με HF
Κενό Ζώνης 3,8–5,3 eV
−320×10−6 cm3/mol
2,275
Εκτός αν σημειώνεται διαφορετικά, τα δεδομένα αφορούν υλικά υπό κανονικές συνθήκες (25°C, 100 kPa).
 N (verify) Τι είναι ΝαιY/N?)
Infobox references

Το πεντοξείδιο του τανταλίου (Tantalum pentoxide), επίσης γνωστό ως οξείδιο του τανταλίου(V), είναι η ανόργανη ένωση με τύπο Ta2O5. Είναι ένα λευκό στερεό που είναι αδιάλυτο σε όλους τους διαλύτες, αλλά προσβάλλεται από ισχυρές βάσεις και υδροφθορικό οξύ. Το Ta2O5 είναι ένα αδρανές υλικό με υψηλό δείκτη διάθλασης και χαμηλή απορρόφηση (δηλαδή άχρωμο).[2] Χρησιμοποιείται επίσης εκτενώς στην παραγωγή πυκνωτών, λόγω της υψηλής διηλεκτρικής σταθεράς του.

Το ταντάλιο εμφανίζεται στα ορυκτά τανταλίτης και κολουμπίτης (το κολούμπιο είναι μια αρχαϊκή ονομασία για το νιόβιο), τα οποία εμφανίζονται στον πηγματίτη, έναν πυριγενή σχηματισμό πετρωμάτων. Μείγματα κολουμπίτη και τανταλίτη ονομάζονται κολτάν. Το ταντάλιο ανακαλύφθηκε στον τανταλίτη το 1802 από τον Άντερς Γκούσταφ Έκεμπεργκ στο Ύτερμπι της Σουηδίας και στο Κιμότο της Φινλανδίας. Τα ορυκτά μικρόλιθος (microlite) και πυροχλώριο (pyrochlore) περιέχουν περίπου 70% και 10% ταντάλιο, αντίστοιχα.

Τα μεταλλεύματα τανταλίου περιέχουν συχνά σημαντικές ποσότητες νιοβίου, το οποίο είναι από μόνο του ένα πολύτιμο μέταλλο. Ως εκ τούτου, και τα δύο μέταλλα εξάγονται ώστε να μπορούν να πωληθούν. Η συνολική διαδικασία είναι μια υδρομεταλλουργία και ξεκινά με ένα βήμα έκπλυσης (leaching) κατά το οποίο το μετάλλευμα υποβάλλεται σε επεξεργασία με υδροφθορικό οξύ και θειικό οξύ για την παραγωγή υδατοδιαλυτών υδροφθοριδίων, όπως τα επταφθοροτανταλικά. Αυτό επιτρέπει τον διαχωρισμό των μετάλλων από τις διάφορες μη μεταλλικές ακαθαρσίες στο πέτρωμα.

(FeMn)(NbTa)2O6 + 16 HF → H2[TaF7] + H2[NbOF5] + FeF2 + MnF2 + 6 H2O

Τα υδροφθορίδια του τανταλίου και του νιοβίου απομακρύνονται στη συνέχεια από το υδατικό διάλυμα με εκχύλιση υγρού-υγρού χρησιμοποιώντας οργανικούς διαλύτες, όπως κυκλοεξανόνη ή μεθυλοϊσοβουτυλκετόνη. Αυτό το βήμα επιτρέπει την απλή απομάκρυνση διαφόρων μεταλλικών ακαθαρσιών (π.χ. σιδήρου και μαγγανίου) που παραμένουν στην υδατική φάση με τη μορφή ιόντων φθορίου. Ο διαχωρισμός του τανταλίου και του νιοβίου επιτυγχάνεται στη συνέχεια με ρύθμιση του pH. Το νιόβιο απαιτεί υψηλότερο επίπεδο οξύτητας για να παραμείνει διαλυτό στην οργανική φάση και ως εκ τούτου μπορεί να απομακρυνθεί επιλεκτικά με εκχύλιση σε λιγότερο όξινο νερό. Το καθαρό διάλυμα υδροφθοριούχου τανταλίου (tantalum hydrogen fluoride) εξουδετερώνεται στη συνέχεια με υδατική αμμωνία για να δώσει ενυδατωμένο οξείδιο του τανταλίου (Ta2O5(H2O)x), το οποίο φρύσσεται σε πεντοξείδιο του τανταλίου (Ta2O5) όπως περιγράφεται σε αυτές τις εξιδανικευμένες εξισώσεις:[3]

H2[TaF7] + 5 H2O + 7 NH3 → 1/2 Ta2O5(H2O)5 + 7 NH4F
Ta2O5(H2O)5 → Ta2O5 + 5 H2O

Το φυσικό καθαρό οξείδιο του τανταλίου είναι γνωστό ως ορυκτό ταντίτης (tantite), αν και είναι εξαιρετικά σπάνιο.[4]

Το οξείδιο του τανταλίου χρησιμοποιείται συχνά στην ηλεκτρονική, συχνά με τη μορφή λεπτής μεμβράνης. Για αυτές τις εφαρμογές μπορεί να παραχθεί με MOCVD (ή σχετικές τεχνικές), η οποία περιλαμβάνει την υδρόλυση των πτητικών αλογονιδίων ή αλκοξειδίων του:

Ta2(OEt)10 + 5 H2O → Ta2O5 + 10 EtOH
2 TaCl5 + 5 H2O → Ta2O5 + 10 HCl

Δομή και ιδιότητες

[Επεξεργασία | επεξεργασία κώδικα]

Η κρυσταλλική δομή του πεντοξειδίου του τανταλίου έχει αποτελέσει αντικείμενο συζήτησης. Το κύριο υλικό είναι αταξινόμητο (disordered),[5] είναι είτε άμορφο είτε πολυκρυσταλλικό με τους μονοκρυστάλλους να είναι δύσκολο να αναπτυχθούν. Ως εκ τούτου, η κρυσταλλογραφία ακτίνων Χ έχει περιοριστεί σε μεγάλο βαθμό στην περίθλαση σκόνης, η οποία παρέχει λιγότερες δομικές πληροφορίες.

Είναι γνωστό ότι υπάρχουν τουλάχιστον 2 πολύμορφα. Μια μορφή χαμηλής θερμοκρασίας, γνωστή ως L- ή β-Ta2O5, και η μορφή υψηλής θερμοκρασίας γνωστή ως H- ή α- Ta2O5. Η μετάβαση μεταξύ αυτών των δύο μορφών είναι αργή και αναστρέψιμη, λαμβάνει χώρα μεταξύ 1000 και 1360°C, με ένα μείγμα δομών να υπάρχει σε ενδιάμεσες θερμοκρασίες.[5] Οι δομές και των δύο πολυμορφών αποτελούνται από αλυσίδες που κατασκευάζονται από οκταεδρικά TaO6 και πενταγωνικά διπυραμιδικά πολύεδρα TaO7 που μοιράζονται αντίθετες κορυφές, οι οποίες συνδέονται περαιτέρω με κοινές ακμές.[6][7] Το συνολικό κρυσταλλικό σύστημα είναι ορθορομβικό και στις δύο περιπτώσεις, με την ομάδα χώρου του β- Ta2O5 να αναγνωρίζεται ως Pna2 με περίθλαση ακτίνων Χ μονοκρυστάλλου.[8][9]

Έχει επίσης αναφερθεί μια μορφή υψηλής πίεσης (Z- Ta2O5), στην οποία τα άτομα Ta υιοθετούν μια γεωμετρία 7 συντεταγμένων για να δώσουν μια μονόκλινη δομή (ομάδα χώρου C2).[10]

Το καθαρά άμορφο πεντοξείδιο του τανταλίου έχει παρόμοια τοπική δομή με τα κρυσταλλικά πολύμορφα, που αποτελούνται από πολύεδρα TaO6 και TaO7, ενώ η τηγμένη υγρή φάση έχει μια ξεχωριστή δομή που βασίζεται σε πολύεδρα χαμηλότερου συντονισμού, κυρίως TaO5 και TaO6.[11]

Η δυσκολία σχηματισμού υλικού με ομοιόμορφη δομή έχει οδηγήσει σε διακυμάνσεις στις αναφερόμενες ιδιότητές του. Όπως πολλά οξείδια μετάλλων, το Ta2O5 είναι ένας μονωτής και το χάσμα ζώνης του έχει αναφερθεί ποικιλοτρόπως ότι κυμαίνεται μεταξύ 3,8 και 5,3 eV, ανάλογα με τη μέθοδο κατασκευής.[12][13][14] Γενικά, όσο πιο άμορφο είναι το υλικό, τόσο μεγαλύτερο είναι το παρατηρούμενο χάσμα ζώνης.Αυτές οι παρατηρούμενες τιμές είναι σημαντικά υψηλότερες από εκείνες που προβλέπονται από την υπολογιστική χημεία (2,3 - 3,8 eV).[15][16][17]

Η διηλεκτρική σταθερά του είναι συνήθως περίπου 25[18] αν και έχουν αναφερθεί τιμές άνω των 50.[19] Γενικά, το πεντοξείδιο του τανταλίου θεωρείται υλικό υψηλού κ διηλεκτρικού.

Το Ta2O5 δεν αντιδρά αισθητά ούτε με HCl ούτε με HBr, ωστόσο διαλύεται σε υδροφθορικό οξύ και αντιδρά με διφθοριούχο κάλιο και HF σύμφωνα με την ακόλουθη εξίσωση:[20][21]

Ta2O5 + 4 KHF2 + 6 HF → 2 K2[TaF7] + 5 H2O

Το Ta2O5 μπορεί να αναχθεί σε μεταλλικό Ta μέσω της χρήσης μεταλλικών αναγωγικών όπως το ασβέστιο και το αργίλιο.

Ta2O5 + 5 Ca → 2 Ta + 5 CaO
Αρκετοί πυκνωτές τανταλίου με ονομαστική τάση 10 μF × 30 V DC, συμπαγούς σώματος, εμποτισμένοι με εποξειδική ρητίνη. Η πολικότητα επισημαίνεται ρητά.

Λόγω του υψηλού χάσματος ζώνης και διηλεκτρικής σταθεράς, το πεντοξείδιο του τανταλίου έχει βρει ποικίλες χρήσεις στην ηλεκτρονική, ιδιαίτερα σε πυκνωτές τανταλίου. Αυτοί χρησιμοποιούνται σε ηλεκτρονικά αυτοκινήτων, κινητά τηλέφωνα και συσκευές τηλεειδοποίησης, ηλεκτρονικά κυκλώματα, εξαρτήματα λεπτής μεμβράνης και εργαλεία υψηλής ταχύτητας. Τη δεκαετία του 1990, αυξήθηκε το ενδιαφέρον για τη χρήση του οξειδίου του τανταλίου ως διηλεκτρικό υψηλού κ για εφαρμογές πυκνωτών DRAM.[22][23]

Χρησιμοποιείται σε πυκνωτές μετάλλου-μονωτή-μετάλλου ενσωματωμένα στο τσιπ για ολοκληρωμένα κυκλώματα υψηλής συχνότητας CMOS. Το οξείδιο του τανταλίου μπορεί να έχει εφαρμογές ως στρώμα παγίδευσης φορτίου για μη πτητικές μνήμες.[24][25] Υπάρχουν εφαρμογές του οξειδίου του τανταλίου σε μνήμες μεταγωγής με αντίσταση (resistive switching memories).[26]

Λόγω του υψηλού δείκτη διάθλασης, το Ta2O5 έχει χρησιμοποιηθεί στην κατασκευή του γυαλιού των φωτογραφικών φακών [2][27] Μπορεί επίσης να εναποτεθεί ως οπτική επίστρωση με τυπικές εφαρμογές να είναι οι αντιανακλαστικές και πολυστρωματικές επιστρώσεις φίλτρων στην εγγύς υπεριώδη ακτινοβολία έως την εγγύς υπέρυθρη ακτινοβολία. [28]

Έχει επίσης βρεθεί ότι το Ta2O5 έχει υψηλό μη γραμμικό δείκτη διάθλασης,[29][30] Ta2O5 της τάξης των τριών φορών από το νιτρίδιο του πυριτίου (silicon nitiride), γεγονός που έχει οδηγήσει σε ενδιαφέρον για την αξιοποίηση του Ta2O5 σε φωτονικά ολοκληρωμένα κυκλώματα. Το Ta2O5 έχει χρησιμοποιηθεί πρόσφατα ως η υλική πλατφόρμα για την παραγωγή υπερσυνέχειας (supercontinuum)[31][32] και χτενών συχνοτήτων Kerr [30] σε κυματοδηγούς και οπτικούς συντονιστές δακτυλίου (optical ring resonators). Μέσω της προσθήκης προσμείξεων σπανίων γαιών στη διαδικασία εναπόθεσης, τα λέιζερ κυματοδηγού Ta2O5 έχουν παρουσιαστεί για μια ποικιλία εφαρμογών, όπως η τηλεπισκόπηση (remote sensing) και το LiDAR.[33][34][35]

  1. ↑ Reisman, Arnold; Holtzberg, Frederic; Berkenblit, Melvin; Berry, Margaret (20 September 1956). «Reactions of the Group VB Pentoxides with Alkali Oxides and Carbonates. III. Thermal and X-Ray Phase Diagrams of the System K2O or K2CO3 with Ta2O5». Journal of the American Chemical Society 78 (18): 4514–4520. doi:10.1021/ja01599a003.
  2. 1 2 Fairbrother, Frederick (1967). The Chemistry of Niobium and TantalumΑπαιτείται δωρεάν εγγραφή. New York: Elsevier Publishing Company. σελίδες 1–28. ISBN 978-0-444-40205-9.
  3. ↑ Anthony Agulyanski (2004). «Fluorine chemistry in the processing of tantalum and niobium». Στο: Anatoly Agulyanski, επιμ. Chemistry of Tantalum and Niobium Fluoride Compounds (1st έκδοση). Burlington: Elsevier. ISBN 9780080529028.
  4. ↑ «Tantite: Tantite mineral information and data». Mindat.org. Ανακτήθηκε στις 3 Μαρτίου 2016.
  5. 1 2 Askeljung, Charlotta; Marinder, Bengt-Olov; Sundberg, Margareta (1 November 2003). «Effect of heat treatment on the structure of L-Ta2O5». Journal of Solid State Chemistry 176 (1): 250–258. doi:10.1016/j.jssc.2003.07.003. Bibcode: 2003JSSCh.176..250A.
  6. ↑ Stephenson, N. C.; Roth, R. S. (1971). «Structural systematics in the binary system Ta2O5–WO3. V. The structure of the low-temperature form of tantalum oxide L-Ta2O5». Acta Crystallographica Section B 27 (5): 1037–1044. doi:10.1107/S056774087100342X. Bibcode: 1971AcCrB..27.1037S.
  7. ↑ Wells, A.F. (1947). Structural Inorganic Chemistry. Oxford: Clarendon Press.
  8. ↑ Wolten, G. M.; Chase, A. B. (1 August 1969). «Single-crystal data for β Ta2O5 and A KPO3». Zeitschrift für Kristallographie 129 (5–6): 365–368. doi:10.1524/zkri.1969.129.5-6.365. Bibcode: 1969ZK....129..365W.
  9. ↑ Hummel, Hans-U.; Fackler, Richard; Remmert, Peter (1992). «Tantaloxide durch Gasphasenhydrolyse, Druckhydrolyse und Transportreaktion aus 2H-TaS2: Synthesen von TT-Ta2O5 und T-Ta2O5 und Kristallstruktur von T-Ta2O5». Chemische Berichte 125 (3): 551–556. doi:10.1002/cber.19921250304.
  10. ↑ Zibrov, I. P.; Filonenko, V. P.; Sundberg, M.; Werner, P.-E. (1 August 2000). «Structures and phase transitions of B-Ta2O5 and Z-Ta2O5: two high-pressure forms of Ta2O5». Acta Crystallographica Section B 56 (4): 659–665. doi:10.1107/S0108768100005462. PMID 10944257.
  11. ↑ Alderman, O. L. G.; Benmore, C.J.; Neuefeind, J.; Coillet, E.; Mermet, A.; Martinez, V.; Tamalonis, A.; Weber, R. (2018). «Amorphous tantala and its relationship with the molten state». Physical Review Materials 2 (4): 043602. doi:10.1103/PhysRevMaterials.2.043602. Bibcode: 2018PhRvM...2d3602A.
  12. ↑ Kukli, Kaupo; Aarik, Jaan; Aidla, Aleks; Kohan, Oksana; Uustare, Teet; Sammelselg, Väino (1995). «Properties of tantalum oxide thin films grown by atomic layer deposition». Thin Solid Films 260 (2): 135–142. doi:10.1016/0040-6090(94)06388-5. Bibcode: 1995TSF...260..135K. https://archive.org/details/sim_thin-solid-films_1995-05-15_260_2/page/n3.
  13. ↑ Fleming, R. M.; Lang, D. V.; Jones, C. D. W.; Steigerwald, M. L.; Murphy, D. W.; Alers, G. B.; Wong, Y.-H.; van Dover, R. B. και άλλοι. (1 January 2000). «Defect dominated charge transport in amorphous Ta2O5 thin films». Journal of Applied Physics 88 (2): 850. doi:10.1063/1.373747. Bibcode: 2000JAP....88..850F.
  14. ↑ Murawala, Prakash A.; Sawai, Mikio; Tatsuta, Toshiaki; Tsuji, Osamu; Fujita, Shizuo; Fujita, Shigeo (1993). «Structural and Electrical Properties of Ta2O5 Grown by the Plasma-Enhanced Liquid Source CVD Using Penta Ethoxy Tantalum Source». Japanese Journal of Applied Physics 32 (Part 1, No. 1B): 368–375. doi:10.1143/JJAP.32.368. Bibcode: 1993JaJAP..32..368M.
  15. ↑ Ramprasad, R. (1 January 2003). «First principles study of oxygen vacancy defects in tantalum pentoxide». Journal of Applied Physics 94 (9): 5609–5612. doi:10.1063/1.1615700. Bibcode: 2003JAP....94.5609R.
  16. ↑ Sawada, H.; Kawakami, K. (1 January 1999). «Electronic structure of oxygen vacancy in Ta2O5». Journal of Applied Physics 86 (2): 956. doi:10.1063/1.370831. Bibcode: 1999JAP....86..956S.
  17. ↑ Nashed, Ramy; Hassan, Walid M. I.; Ismail, Yehea; Allam, Nageh K. (2013). «Unravelling the interplay of crystal structure and electronic band structure of tantalum oxide (Ta2O5)». Physical Chemistry Chemical Physics 15 (5): 1352–7. doi:10.1039/C2CP43492J. PMID 23243661. Bibcode: 2013PCCP...15.1352N.
  18. ↑ Macagno, V.; Schultze, J.W. (1 December 1984). «The growth and properties of thin oxide layers on tantalum electrodes». Journal of Electroanalytical Chemistry and Interfacial Electrochemistry 180 (1–2): 157–170. doi:10.1016/0368-1874(84)83577-7.
  19. ↑ Hiratani, M.; Kimura, S.; Hamada, T.; Iijima, S.; Nakanishi, N. (1 January 2002). «Hexagonal polymorph of tantalum–pentoxide with enhanced dielectric constant». Applied Physics Letters 81 (13): 2433. doi:10.1063/1.1509861. Bibcode: 2002ApPhL..81.2433H.
  20. ↑ Agulyansky, A (2003). «Potassium fluorotantalate in solid, dissolved and molten conditions». J. Fluorine Chem. 123 (2): 155–161. doi:10.1016/S0022-1139(03)00190-8.
  21. ↑ Brauer, Georg (1965). Handbook of preparative inorganic chemistry. Academic Press. σελ. 256. ISBN 978-0-12-395591-3.
  22. ↑ Ezhilvalavan, S.; Tseng, T. Y. (1999). «Preparation and properties of tantalum pentoxide (Ta2O5) thin films for ultra large scale integrated circuits (ULSIs) application - a review». Journal of Materials Science: Materials in Electronics 10 (1): 9–31. doi:10.1023/A:1008970922635.
  23. ↑ Chaneliere, C; Autran, J L; Devine, R A B; Balland, B (1998). «Tantalum pentoxide (Ta2O5) thin films for advanced dielectric applications». Materials Science and Engineering: R 22 (6): 269–322. doi:10.1016/S0927-796X(97)00023-5.
  24. ↑ Wang, X (2004). «A Novel MONOS-Type Nonvolatile Memory Using High-κ Dielectrics for Improved Data Retention and Programming Speed». IEEE Transactions on Electron Devices 51 (4): 597–602. doi:10.1109/TED.2004.824684. Bibcode: 2004ITED...51..597W.
  25. ↑ Zhu, H (2013). «Design and Fabrication of Ta2O5 Stacks for Discrete Multibit Memory Application». IEEE Transactions on Nanotechnology 12 (6): 1151–1157. doi:10.1109/TNANO.2013.2281817. Bibcode: 2013ITNan..12.1151Z.
  26. ↑ Lee, M-.J (2011). «A fast, high-endurance and scalable non-volatile memory device made from asymmetric Ta2O5−x/TaO2−x bilayer structures». Nature Materials 10 (8): 625–630. doi:10.1038/NMAT3070. PMID 21743450. Bibcode: 2011NatMa..10..625L.
  27. ↑ Musikant, Solomon (1985). «Optical Glas Composition». Optical Materials: An Introduction to Selection and Application. CRC Press. σελ. 28. ISBN 978-0-8247-7309-0.
  28. ↑ «Tantalum Oxide for Optical Coating Applications». Materion. Ανακτήθηκε στις 1 Απριλίου 2021.
  29. ↑ Tai, Chao-Yi; Wilkinson, James S.; Perney, Nicolas M. B.; Netti, M. Caterina; Cattaneo, F.; Finlayson, Chris E.; Baumberg, Jeremy J. (2004-10-18). «Determination of nonlinear refractive index in a Ta2O5 rib waveguide using self-phase modulation» (στα αγγλικά). Optics Express 12 (21): 5110–5116. doi:10.1364/OPEX.12.005110. ISSN 1094-4087. PMID 19484065. Bibcode: 2004OExpr..12.5110T. https://opg.optica.org/oe/abstract.cfm?uri=oe-12-21-5110.
  30. 1 2 Jung, Hojoong; Yu, Su-Peng; Carlson, David R.; Drake, Tara E.; Briles, Travis C.; Papp, Scott B. (2021-06-20). «Tantala Kerr nonlinear integrated photonics» (στα αγγλικά). Optica 8 (6): 811–817. doi:10.1364/OPTICA.411968. ISSN 2334-2536. Bibcode: 2021Optic...8..811J. https://opg.optica.org/optica/abstract.cfm?uri=optica-8-6-811.
  31. ↑ Woods, Jonathan R. C.; Daykin, Jake; Tong, Amy S. K.; Lacava, Cosimo; Petropoulos, Periklis; Tropper, Anne C.; Horak, Peter; Wilkinson, James S. και άλλοι. (2020-10-12). «Supercontinuum generation in tantalum pentoxide waveguides for pump wavelengths in the 900 nm to 1500 nm spectral region» (στα αγγλικά). Optics Express 28 (21): 32173–32184. doi:10.1364/OE.403089. ISSN 1094-4087. PMID 33115180. Bibcode: 2020OExpr..2832173W. https://opg.optica.org/abstract.cfm?URI=oe-28-21-32173.
  32. ↑ Fan, Ranran; Lin, Yuan-Yao; Chang, Lin; Boes, Andreas; Bowers, John; Liu, Jia-Wei; Lin, Chao-Hong; Wang, Te-Keng και άλλοι. (2021-04-12). «Higher order mode supercontinuum generation in tantalum pentoxide (Ta2O5) channel waveguide» (στα αγγλικά). Scientific Reports 11 (1): 7978. doi:10.1038/s41598-021-86922-8. ISSN 2045-2322. PMID 33846403. Bibcode: 2021NatSR..11.7978F.
  33. ↑ Tong, Amy S. K.; Mitchell, Colin J.; Aghajani, Armen; Sessions, Neil; Senthil Murugan, G.; Mackenzie, Jacob I.; Wilkinson, James S. (2020-09-01). «Spectroscopy of thulium-doped tantalum pentoxide waveguides on silicon» (στα αγγλικά). Optical Materials Express 10 (9): 2201. doi:10.1364/OME.397011. ISSN 2159-3930. Bibcode: 2020OMExp..10.2201T. https://opg.optica.org/abstract.cfm?URI=ome-10-9-2201.
  34. ↑ Aghajani, A; Murugan, G S; Sessions, N P; Apostolopoulos, V; Wilkinson, J S (2015-06-17). «Spectroscopy of high index contrast Yb:Ta 2 O 5 waveguides for lasing applications». Journal of Physics: Conference Series 619 (1): 012031. doi:10.1088/1742-6596/619/1/012031. ISSN 1742-6596. Bibcode: 2015JPhCS.619a2031A.
  35. ↑ Subramani, Ananth Z.; Oton, Claudio J.; Shepherd, David P.; Wilkinson, James S. (November 2010). «Erbium-Doped Waveguide Laser in Tantalum Pentoxide». IEEE Photonics Technology Letters 22 (21): 1571–1573. doi:10.1109/LPT.2010.2072495. ISSN 1041-1135. Bibcode: 2010IPTL...22.1571S. https://ieeexplore.ieee.org/document/5560730.
Ανακτήθηκε από "https://el.wikipedia.org/w/index.php?title=Πεντοξείδιο_του_τανταλίου&oldid=11353026"