Μετάβαση στο περιεχόμενο

Ισάμου Ακασάκι

Από τη Βικιπαίδεια, την ελεύθερη εγκυκλοπαίδεια
Ισάμου Ακασάκι
Γενικές πληροφορίες
Όνομα στη
μητρική γλώσσα		赤﨑 勇 (Ιαπωνικά)
Γέννηση30 Ιανουαρίου 1929
Chiran[1]
Θάνατος1  Απριλίου 2021[2][3]
Ναγκόγια[2]
Αιτία θανάτουπνευμονία[4]
Συνθήκες θανάτουφυσικά αίτια
ΚατοικίαΠεριφέρεια Καγκοσίμα
Χώρα πολιτογράφησηςΙαπωνία[5]
Ιαπωνική Αυτοκρατορία (έως 1947)
Εκπαίδευση και γλώσσες
Μητρική γλώσσαΙαπωνικά
Ομιλούμενες γλώσσεςΙαπωνικά
ΕκπαίδευσηDoctor of Engineering
Μπάτσελορ Επιστημών
ΣπουδέςΠανεπιστήμιο του Κιότο
Kōnan High School
Seventh Higher School
Πανεπιστήμιο Ναγκόγια
Πληροφορίες ασχολίας
Ιδιότηταφυσικός
καθηγητής πανεπιστημίου
μηχανικός[6]
ερευνητής
ΕργοδότηςΠανεπιστήμιο Ναγκόγια
Meijo University
Panasonic Corporation
Denso Ten
Οικογένεια
ΑδέλφιαMasanori Akasaki (μεγαλύτερος αδελφός)
Αξιώματα και βραβεύσεις
ΒραβεύσειςΤάγμα του Ανατέλλοντος Ηλίου, τρίτη κλάση (2002)
Μετάλλιο Έντισον (2011)[7]
Τάγμα του Πολιτισμού (2011)
Βραβείο Νόμπελ Φυσικής (2014)[8][9]
Βραβείο Τσαρλς Σταρκ Ντρέιπερ (2015)
Πρόσωπο Πολιτιστικής Αξίας (2004)
βραβείο Κιότο στις Προηγμένες Τεχνολογίες (2009)[10]
βραβείο Asahi (2000)
Medal with Purple Ribbon (1996)
Εταίρος του Ινστιτούτου Ηλεκτρολόγων και Ηλεκτρονικών Μηχανικών
Αυτοκρατορικό βραβείο της Ιαπωνικής Ακαδημίας (7  Ιουλίου 2014)
Gordon E. Moore Medal for Outstanding Achievement in Solid State Science and Technology
IEEE Jack A. Morton Award (1998)[11]
d:Q126416266 (25  Ιουνίου 1999)[12]
βραβείο Βασίλισσα Ελισάβετ για την μηχανική (2021)[13]
Commons page Σχετικά πολυμέσα
δεδομένα

Ο Ισάμου Ακασάκι (ιαπωνικά: 赤﨑 勇, Akasaki Isamu, 30 Ιανουαρίου 1929 - 1 Απριλίου 2021) ήταν Ιάπωνας μηχανικός και φυσικός, με ειδίκευση στην τεχνολογία ημιαγωγών και κάτοχος βραβείου Νόμπελ, γνωστός για την εφεύρεση της μπλε λυχνίας LED p-n από νιτρίδιο γαλλίου (GaN) το 1989 και, στη συνέχεια, της μπλε λυχνίας LED υψηλής φωτεινότητας GaN[14][15][16][17][18]. Για αυτό και άλλα επιτεύγματα, ο Ακασάκι τιμήθηκε με το Βραβείο Κιότο για την προηγμένη τεχνολογία το 2009[19], με το Μετάλλιο Edison της IEEE το 2011[20] και με το Βραβείο Νόμπελ Φυσικής το 2014, μαζί με τους Χιρόσι Αμάνο και Σούτζι Νακαμούρα[21], "για την εφεύρεση του αποδοτικού μπλε φωτός". "για την εφεύρεση αποδοτικών διόδων εκπομπής μπλε φωτός, η οποία κατέστησε δυνατή την απόκτηση λαμπρού λευκού φωτός που είναι ενεργειακά αποδοτικό". για τη δημιουργία λαμπρών, ενεργειακά αποδοτικών πηγών λευκού φωτός". Το 2021, Ακασάκι, μαζί με τον Σούτζι Νακαμούρα, τον Νικ Χολόνιακ, τον κ. Τζορτζ Κρέφορντ και τον Ράσελ Ντ. Dupuis τιμήθηκαν με το Βραβείο Μηχανικής της Βασίλισσας Ελισάβετ "για τη δημιουργία και την ανάπτυξη του φωτισμού LED, ο οποίος αποτελεί τη βάση όλων των τεχνολογιών φωτισμού στερεάς κατάστασης"[22].

Ζωή και εκπαίδευση

[Επεξεργασία | επεξεργασία κώδικα]
Ισάμου Ακασάκι

Ο Ισάμου γεννήθηκε στο Τσιράν, στο νομό Καγκοσίμα, και μεγάλωσε στην πόλη Καγκοσίμα[23][24]. Ο μεγαλύτερος αδελφός του είναι ο Μασανόρι Ακαζάκι [ja], ερευνητής στον τομέα της ηλεκτρονικής μηχανικής και ομότιμος καθηγητής στο Πανεπιστήμιο Κιούσου[24] (το επώνυμό τους "赤﨑" προφέρεται επίσης Ακαζάκι[25][26]).

Ο Ισάμου αποφοίτησε από το Γυμνάσιο Νταϊνί-Καγκοσίμα στο νομό Καγκοσίμα (σήμερα Γυμνάσιο Κονάν στο νομό Καγκοσίμα) το 1946, από το Ζοσιχάν 7ο Γυμνάσιο (σήμερα Πανεπιστήμιο Καγκοσίμα) το 1949[24] και από το Τμήμα Χημείας της Σχολής Θετικών Επιστημών του Πανεπιστημίου του Κιότο το 1952[23]. Κατά τη διάρκεια των φοιτητικών του χρόνων, επισκεπτόταν ιερά και ναούς που σπάνια επισκέπτονταν οι ντόπιοι, έκανε περιπάτους στα βουνά Σίνσου κατά τη διάρκεια των καλοκαιρινών διακοπών, απολάμβανε τις διαλέξεις του και είχε μια ικανοποιητική φοιτητική ζωή[23]. Έγινε ερευνητής και ανακηρύχθηκε διδάκτωρ μηχανικός από το Πανεπιστήμιο της Ναγκόγια το 1964[27].

Έρευνα

[Επεξεργασία | επεξεργασία κώδικα]

Ο Ακασάκι άρχισε να εργάζεται πάνω σε μπλε LED με βάση το GaN στα τέλη της δεκαετίας του 1960. Βήμα προς βήμα, βελτίωσε την ποιότητα των κρυστάλλων GaN και των δομών των διατάξεων[28] στο Ερευνητικό Ινστιτούτο Matsushita του Τόκιο, Inc (MRIT), όπου αποφάσισε να υιοθετήσει την επιταξία φάσης ατμών μετάλλων-οργανικής φάσης (MOVPE) ως την προτιμώμενη μέθοδο ανάπτυξης για το GaN.

Το 1981, επανέφερε την ανάπτυξη του GaN με MOVPE στο Πανεπιστήμιο Ναγκόγια και, το 1985, ο ίδιος και η ομάδα του κατάφεραν να αναπτύξουν υψηλής ποιότητας GaN σε υπόστρωμα από ζαφείρι εισάγοντας την τεχνολογία ρυθμιστικού στρώματος χαμηλής θερμοκρασίας (LT)[29][30].

Αυτό το υψηλής ποιότητας GaN τους επέτρεψε να ανακαλύψουν το GaN τύπου p με πρόσμιξη μαγνησίου (Mg) και επακόλουθη ενεργοποίηση με ακτινοβολία ηλεκτρονίων (1989), να παράγουν την πρώτη μπλε/UV LED με επαφή p-n σε GaN (1989) και να ελέγξουν την ικανότητα αγωγής του GaN τύπου n (1990)[31] και των σχετικών κραμάτων (1991)[32] με πρόσμιξη πυριτίου (Si), επιτρέποντας τη χρήση ετεροδομών και πολλαπλών κβαντικών φρεατίων στο σχεδιασμό και τη δομή αποδοτικότερων δομών φωτοεκπομπής σύνδεσης p-n.

Πέτυχαν διεγερμένη εκπομπή από GaN για πρώτη φορά σε θερμοκρασία δωματίου το 1990[33] και το 1995 ανέπτυξαν διεγερμένη εκπομπή στα 388 nm με παλμική έγχυση ρεύματος από μια διάταξη κβαντικού πηγαδιού AlGaN/GaInN υψηλής ποιότητας[34]. [Επιβεβαίωσαν το κβαντικό φαινόμενο μεγέθους (1991[35] και το κβαντικά περιορισμένο φαινόμενο Σταρκ (1997)[36] στο σύστημα νιτριδίων και, το 2000, έδειξαν θεωρητικά την εξάρτηση του προσανατολισμού του πιεζοηλεκτρικού πεδίου και την ύπαρξη μη/ημιπολικών κρυστάλλων GaN[37], γεγονός που έδωσε το έναυσμα για τις τρέχουσες παγκόσμιες προσπάθειες καλλιέργειας αυτών των κρυστάλλων για εφαρμογή σε πιο αποδοτικούς φωτοεκπομπούς.

Πανεπιστήμιο Ναγκόγια Ινστιτούτο Ακασάκι

[Επεξεργασία | επεξεργασία κώδικα]
Ινστιτούτο Ακασάκι

Οι ευρεσιτεχνίες του Ακασάκι προέκυψαν από αυτές τις εφευρέσεις και οι ευρεσιτεχνίες ανταμείφθηκαν με δικαιώματα. Το Ινστιτούτο Ακασάκι στο Πανεπιστήμιο της Ναγκόγια[38][39] εγκαινιάστηκε στις 20 Οκτωβρίου 2006. Το κόστος κατασκευής του ινστιτούτου καλύφθηκε από τα έσοδα που προέκυψαν από τα πνευματικά δικαιώματα των ευρεσιτεχνιών του πανεπιστημίου, τα οποία χρησιμοποιήθηκαν επίσης για ένα ευρύ φάσμα δραστηριοτήτων εντός του Πανεπιστημίου Ναγκόγια. Το ινστιτούτο αποτελείται από μια γκαλερί LED που παρουσιάζει την ιστορία της έρευνας/ανάπτυξης και των εφαρμογών των μπλε LED, ένα γραφείο για ερευνητική συνεργασία, εργαστήρια για καινοτόμο έρευνα και το γραφείο Ακασάκι στον έκτο όροφο. Το ινστιτούτο βρίσκεται στο κέντρο της ζώνης συνεργατικής έρευνας στην πανεπιστημιούπολη Χιγκασιγιάμα του Πανεπιστημίου της Ναγκόγια.

Επαγγελματικό αρχείο

[Επεξεργασία | επεξεργασία κώδικα]

Ο Ακασάκι εργάστηκε ως ερευνητής από το 1952 έως το 1959 στην εταιρεία Kobe Kogyo Corporation (σήμερα Fujitsu Ltd.)[40] Το 1959, ήταν ερευνητικός συνεργάτης, επίκουρος καθηγητής και αναπληρωτής καθηγητής στο τμήμα ηλεκτρονικής στο Πανεπιστήμιο της Ναγκόγια μέχρι το 1964. Αργότερα, το 1964, ήταν επικεφαλής του εργαστηρίου βασικής έρευνας στο Ερευνητικό Ινστιτούτο Matsushita του Τόκιο, Inc. έως το 1974, προτού γίνει γενικός διευθυντής του τμήματος ημιαγωγών (στο ίδιο ινστιτούτο μέχρι το 1981). Το 1981, έγινε καθηγητής στο Τμήμα Ηλεκτρονικής του Πανεπιστημίου της Ναγκόγια μέχρι το 1992[40].

Από το 1987 έως το 1990, ήταν επικεφαλής του προγράμματος "Έρευνα και ανάπτυξη διόδων που εκπέμπουν μπλε φως με βάση το GaN" που χρηματοδοτήθηκε από την Ιαπωνική Υπηρεσία Επιστήμης και Τεχνολογίας (JST). Στη συνέχεια, ήταν επικεφαλής του έργου "Έρευνα και ανάπτυξη διόδων λέιζερ ημιαγωγών μικρού μήκους κύματος με βάση το GaN" που χρηματοδοτήθηκε από την JST από το 1993 έως το 1999. Κατά τη διάρκεια της διεύθυνσης αυτού του έργου, ήταν επίσης επισκέπτης καθηγητής στο ερευνητικό κέντρο κβαντικής ηλεκτρονικής διεπαφής του Πανεπιστημίου Hokkaido, από το 1995 έως το 1996. Το 1996, ήταν επικεφαλής του προγράμματος "Πρόγραμμα για το μέλλον" της Ιαπωνικής Εταιρείας για την Προώθηση της Επιστήμης μέχρι το 2001. Από το 1996, άρχισε να διευθύνει το πρόγραμμα "Ερευνητικό κέντρο υψηλής τεχνολογίας για ημιαγωγούς νιτριδίων" στο Πανεπιστήμιο Μέιτζο, το οποίο χρηματοδοτήθηκε από το MEXT μέχρι το 2004. Από το 2003 έως το 2006, ήταν πρόεδρος της "Στρατηγικής Επιτροπής Ε&Α για ασύρματες συσκευές βασισμένες σε ημιαγωγούς νιτριδίων" που χρηματοδοτήθηκε από το METI.

Συνέχισε να εργάζεται ως ομότιμος καθηγητής του Πανεπιστημίου της Ναγκόγια, καθηγητής του Πανεπιστημίου Meijo από το 1992[40]. Ήταν επίσης διευθυντής του Ερευνητικού Κέντρου για τους νιτριδικούς ημιαγωγούς στο Πανεπιστήμιο Meijo από το 2004. Εργάστηκε επίσης ως ερευνητής στο ερευνητικό κέντρο Akasaki του Πανεπιστημίου Ναγκόγια από το 2001.

Θάνατος

[Επεξεργασία | επεξεργασία κώδικα]

Ο Ακασάκι πέθανε από πνευμονία, την 1η Απριλίου 2021, σε ηλικία 92 ετών[41]

Τιμές και βραβεία

[Επεξεργασία | επεξεργασία κώδικα]

Επιστημονικά και ακαδημαϊκά

[Επεξεργασία | επεξεργασία κώδικα]
  • Οι βραβευθέντες με το Νόμπελ Φυσικής 2014: Σούτζι Νακαμούρα , Χιρόσι Αμάνο, και Ισάμου Ακαζάκι
    1989 - Βραβείο της Ιαπωνικής Ένωσης για την Ανάπτυξη Κρυστάλλων (JACG)
  • 1991 - Βραβείο πολιτισμού Chu-Nichi[42]
  • 1994 - Βραβείο Τεχνολογικής Συμβολής, Ιαπωνική Ένωση για την Ανάπτυξη Κρυστάλλων για τον εορτασμό της 20ης επετείου της
  • 1995 - Χρυσό μετάλλιο Χάινριχ Γουέλκερ, Διεθνές Συμπόσιο για τους σύνθετους ημιαγωγούς
  • 1996 - Βραβείο Μηχανικής Επίτευξης, Ινστιτούτο Ηλεκτρολόγων και Ηλεκτρονικών Μηχανικών / Εταιρεία Λέιζερς Ηλεκτροοπτικής
  • 1998 - Βραβείο Inoue Harushige, Ιαπωνική Υπηρεσία Επιστήμης και Τεχνολογίας
  • 1998 - Βραβείο C&C, Nippon Electric Company Corporation[43]
  • 1998 - Βραβείο Laudise, Διεθνής Οργανισμός για την ανάπτυξη κρυστάλλων[44].
  • 1998 - Βραβείο Jack A. Μόρτον, Ινστιτούτο Ηλεκτρολόγων και Ηλεκτρονικών Μηχανικών[45].
  • 1998 - Βραβείο Rank, Ίδρυμα Βραβείου Rank[46]
  • 1999 - Μέλος, Ινστιτούτο Ηλεκτρολόγων και Ηλεκτρονικών Μηχανικών[47].
  • 1999 - Μετάλλιο Γκόρντον Ε. Μουρ για εξαιρετικό επίτευγμα στην επιστήμη και τεχνολογία στερεάς κατάστασης, Ηλεκτροχημική Εταιρεία[48].
  • 1999 - Επίτιμος διδάκτορας, Πανεπιστήμιο Μονπελιέ ΙΙ
  • 1999 - Βραβείο Επιστήμης και Τεχνολογίας Toray, Επιστημονικό Ίδρυμα Toray[49].
  • 2001 - Βραβείο Asahi, Πολιτιστικό Ίδρυμα Asahi Shinbun[50].
  • 2001 - Διδακτορικό δίπλωμα Honoris Causa, Πανεπιστήμιο Linkoping
  • 2002 - Βραβείο Εξαιρετικών Επιτευγμάτων, Ιαπωνική Εταιρεία Εφαρμοσμένης Φυσικής
  • 2002 - Βραβείο Fujihara, το Ίδρυμα Επιστημών Fujihara[51].
  • 2002 - Βραβείο Takeda, Ίδρυμα Takeda[52]
  • 2003 - Βραβείο Προέδρου, Συμβούλιο Επιστημών της Ιαπωνίας (SCJ)[53]
  • 2003 - Βραβείο Solid State Devices & Materials (SSDM)
  • 2004 - Βραβείο πολιτισμού Tokai TV
  • 2004 - Καθηγητής Πανεπιστημίου, Πανεπιστήμιο Ναγκόγια
  • 2006 - Βραβείο Τζον Μπάρντεν, Εταιρεία Ορυκτών, Μετάλλων και Υλικών[54]
  • 2006 - Βραβείο Εξαιρετικών Επιτευγμάτων, Ιαπωνική Ένωση για την Ανάπτυξη Κρυστάλλων
  • 2007 - Τιμητικό Βραβείο Δια Βίου Επιτεύγματος, 162η Ερευνητική Επιτροπή για τις Φωτονικές και Ηλεκτρονικές Συσκευές Ημιαγωγών Ευρείας Ζώνης, Ιαπωνική Εταιρεία Προώθησης της Επιστήμης (JSPS)
  • 2008 - Αλλοδαπός συνεργάτης, Εθνική Ακαδημία Μηχανικής των ΗΠΑ[55]
  • 2009 - Βραβείο προηγμένης τεχνολογίας του Κιότο, Ίδρυμα Inamori[56]
  • 2010 - Καθηγητής δια βίου, Πανεπιστήμιο Meijo
  • 2011 - Μετάλλιο Edison, Ινστιτούτο Ηλεκτρολόγων και Ηλεκτρονικών Μηχανικών[20].
  • 2011 - Ειδικό βραβείο για δραστηριότητες πνευματικής ιδιοκτησίας, Ιαπωνική Υπηρεσία Επιστήμης και Τεχνολογίας[57].
  • 2011 - Βραβείο πολιτισμού Μινάμι-Νιππόν - τιμητικό βραβείο
  • 2014 - Βραβείο Νόμπελ Φυσικής μαζί με τους Χιρόσι Αμάνο και Σούτζι Νακαμούρα [21]
  • 2015 - Βραβείο Charles Stark Draper[40]
  • 2015 - Βραβείο Asia Game Changer Award[58]
  • 2016 - Μετάλλιο της Ουνέσκο για τη συμβολή στην ανάπτυξη της νανοεπιστήμης και των νανοτεχνολογιών τελετή[59]

Eθνικά

[Επεξεργασία | επεξεργασία κώδικα]
  • 1997 - Μετάλλιο με Μωβ Κορδέλα της Ιαπωνικής Κυβέρνησης[60]
  • 2002 - Τάγμα του Ανατέλλοντος Ηλίου, Χρυσές Ακτίνες με Κορδέλα Λαιμού, Ιαπωνική Κυβέρνηση[61]
  • 2004 - Πρόσωπο Πολιτιστικής Αξίας, Ιαπωνική Κυβέρνηση
  • 2011 - Τάγμα Πολιτισμού, Αυτοκράτορας της Ιαπωνίας.[62][63][64]

Δημοσιεύσεις

[Επεξεργασία | επεξεργασία κώδικα]
  • Insights & Enterprise in PHOTONICS SPECTRA, 54, November 2004.
  • Materials Research Society Symposium Proceedings, Volume 639 (2000), pp. xxiii–xxv.

Παραπομπές

[Επεξεργασία | επεξεργασία κώδικα]
  1. ↑ «Isamu Akasaki - Facts». (Αγγλικά) Ίδρυμα Νόμπελ. Ανακτήθηκε στις 7  Μαΐου 2020.
  2. ↑ 2,0 2,1 www.nippon.com/en/news/yjj2021040200887/.
  3. ↑ (Αγγλικά) Find A Grave. Ανακτήθηκε στις 30  Ιουνίου 2024.
  4. ↑ «Nobel-Winning Scientist Isamu Akasaki Dies at 92».
  5. ↑ «Science in Action, Nobel Prizes 2014» (Αγγλικά) BBC. 13  Οκτωβρίου 2014. p027rhb9.
  6. ↑ Ανακτήθηκε στις 20  Ιουνίου 2019.
  7. ↑ www.ieee.org/content/dam/ieee-org/ieee/web/org/about/awards/recipients/edison-rl.pdf.
  8. ↑ «The Nobel Prize in Physics 2014». (Αγγλικά) Ίδρυμα Νόμπελ. Ανακτήθηκε στις 7  Μαΐου 2020.
  9. ↑ «Table showing prize amounts». (Αγγλικά) Ίδρυμα Νόμπελ. Απριλίου 2019. Ανακτήθηκε στις 7  Μαΐου 2020.
  10. ↑ www.kyotoprize.org/en/laureates/.
  11. ↑ www.ieee.org/content/dam/ieee-org/ieee/web/org/about/awards/recipients/grove-rl.pdf.
  12. ↑ «Journal officiel de la République française». (Γαλλικά) Journal officiel de la République française.
  13. ↑ qeprize.org/winners/led-lighting.
  14. ↑ Isamu Akasaki; Hiroshi Amano (2006). «Breakthroughs in Improving Crystal Quality of GaN and Invention of the p–n Junction Blue-Light-Emitting Diode». Japanese Journal of Applied Physics 45 (12): 9001–9010. doi:10.1143/JJAP.45.9001. Bibcode: 2006JaJAP..45.9001A. Αρχειοθετήθηκε από το πρωτότυπο στις 2012-07-22. https://web.archive.org/web/20120722041435/http://jjap.jsap.jp/link?JJAP%2F45%2F9001%2F. Ανακτήθηκε στις November 10, 2015. 
  15. ↑ «Japanese Journal of Applied Physics». jsap.jp. Αρχειοθετήθηκε από το πρωτότυπο στις 18 Απριλίου 2012. Ανακτήθηκε στις 10 Νοεμβρίου 2015. 
  16. ↑ Amano, Hiroshi; Kito, Masahiro; Hiramatsu, Kazumasa; Akasaki, Isamu (December 20, 1989). «P-Type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI)». Japanese Journal of Applied Physics (Japan Society of Applied Physics) 28 (Part 2, No. 12): L2112–L2114. doi:10.1143/jjap.28.l2112. ISSN 0021-4922. Bibcode: 1989JaJAP..28L2112A. 
  17. ↑ Isamu Akasaki; Hiroshi Amano; Masahiro Kito; Kazumasa Hiramatsu (1991). «Photoluminescence of Mg-doped p-type GaN and electroluminescence of GaN p-n junction LED». Journal of Luminescence (Elsevier BV) 48-49: 666–670. doi:10.1016/0022-2313(91)90215-h. ISSN 0022-2313. Bibcode: 1991JLum...48..666A. 
  18. ↑ Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Kenji Itoh, Norikatsu Koide and Katsuhide Manabe: "GaN-based UV/blue light emitting devices", Inst. Phys. Conf. Ser. No.129, pp. 851-856, 1992
  19. ↑ «Kyoto Prize: Isamu Akasaki». Inamori-f.or.jp. Inamori Foundation. Αρχειοθετήθηκε από το πρωτότυπο στις Μαρτίου 4, 2016. Ανακτήθηκε στις Νοεμβρίου 10, 2015. 
  20. ↑ 20,0 20,1 «IEEE Jack S. Kilby Signal Processing Medal Recipients» (PDF). IEEE. Ανακτήθηκε στις 15 Απριλίου 2012. 
  21. ↑ 21,0 21,1 «The 2014 Nobel Prize in Physics - Press Release». Nobelprize.org. Nobel Media AB 2014. Ανακτήθηκε στις 7 Οκτωβρίου 2014. 
  22. ↑ «LED Lighting». Queen Elizabeth Prize for Engineering. 
  23. ↑ 23,0 23,1 23,2 «ノーベル物理学賞受賞者・赤﨑勇博士と京都大学 －大学時代に育まれた研究者の芽－» (στα Ιαπωνικά). Kyoto University. Ανακτήθηκε στις 5 Σεπτεμβρίου 2021. 
  24. ↑ 24,0 24,1 24,2 赤﨑勇(AKASAKI Isamu)"青い光に魅せられて 青色LED開発物語",Japan:日本経済新聞出版社(Nikkei Business Publications),2013
  25. ↑ «Asia University Summit pp.7-8» (PDF). Aichi Prefectural Government. 2021. Αρχειοθετήθηκε από το πρωτότυπο (PDF) στις 9 Ιουλίου 2022. Ανακτήθηκε στις 27 Ιουνίου 2022. 
  26. ↑ Juichi Yamagiwa (16 Ιουλίου 2015). «Welcome Speech by Juichi Yamagiwa, Dr. of Science, President of Kyoto University - UNESCO International Scientific Symposium Kyoto University, 16 July, 2015» (PDF). Kyoto University OCW (Open Course Ware). Kyoto University. σελ. 2. Ανακτήθηκε στις 27 Ιουνίου 2022. 
  27. ↑ 赤崎 (1964). 赤崎 勇「Geの気相成長に関する研究」. CiNii (PhD Thesis) (στα Ιαπωνικά). National Institute of Informatics (Japan). Ανακτήθηκε στις 27 Ιουνίου 2022. 
  28. ↑ Y. Ohki, Y. Toyoda, H. Kobayasi and I. Akasaki: "Fabrication and properties of a practical blue-emitting GaN m-i-s diode. Inst. Phys. Conf. Ser. No. 63, pp. 479-484 (Proc. of the 9th Intl. Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds, 1981).
  29. ↑ Amano, H.; Sawaki, N.; Akasaki, I.; Toyoda, Y. (February 3, 1986). «Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer». Applied Physics Letters (AIP Publishing) 48 (5): 353–355. doi:10.1063/1.96549. ISSN 0003-6951. Bibcode: 1986ApPhL..48..353A. 
  30. ↑ Akasaki, Isamu; Amano, Hiroshi; Koide, Yasuo; Hiramatsu, Kazumasa; Sawaki, Nobuhiko (1989). «Effects of ain buffer layer on crystallographic structure and on electrical and optical properties of GaN and Ga1−xAlxN (0 < x ≦ 0.4) films grown on sapphire substrate by MOVPE». Journal of Crystal Growth (Elsevier BV) 98 (1–2): 209–219. doi:10.1016/0022-0248(89)90200-5. ISSN 0022-0248. 
  31. ↑ H. Amano and I. Akasaki: "Fabrication and Properties of GaN p-n Junction LED", Mater. Res. Soc. Extended Abstract (EA-21), pp.165-168, 1990, (Fall Meeting 1989)
  32. ↑ Murakami, Hiroshi; Asahi, Tsunemori; Amano, Hiroshi; Hiramatsu, Kazumasa; Sawaki, Nobuhiko; Akasaki, Isamu (1991). «Growth of Si-doped AlxGa1–xN on (0001) sapphire substrate by metalorganic vapor phase epitaxy». Journal of Crystal Growth (Elsevier BV) 115 (1–4): 648–651. doi:10.1016/0022-0248(91)90820-u. ISSN 0022-0248. Bibcode: 1991JCrGr.115..648M. 
  33. ↑ Amano, Hiroshi; Asahi, Tsunemori; Akasaki, Isamu (February 20, 1990). «Stimulated Emission Near Ultraviolet at Room Temperature from a GaN Film Grown on Sapphire by MOVPE Using an AlN Buffer Layer». Japanese Journal of Applied Physics (Japan Society of Applied Physics) 29 (Part 2, No. 2): L205–L206. doi:10.1143/jjap.29.l205. ISSN 0021-4922. Bibcode: 1990JaJAP..29L.205A. 
  34. ↑ Akasaki, Isamu; Amano, Hiroshi; Sota, Shigetoshi; Sakai, Hiromitsu; Tanaka, Toshiyuki; Koike, Masayoshi (November 1, 1995). «Stimulated Emission by Current Injection from an AlGaN/GaN/GaInN Quantum Well Device». Japanese Journal of Applied Physics (Japan Society of Applied Physics) 34 (11B): L1517–L1519. doi:10.7567/jjap.34.l1517. ISSN 0021-4922. Bibcode: 1995JaJAP..34L1517A. 
  35. ↑ Itoh, Kenji; Kawamoto, Takeshi; Amano, Hiroshi; Hiramatsu, Kazumasa; Akasaki, Isamu (September 15, 1991). «Metalorganic Vapor Phase Epitaxial Growth and Properties of GaN/Al0.1Ga0.9N Layered Structures». Japanese Journal of Applied Physics (Japan Society of Applied Physics) 30 (Part 1, No. 9A): 1924–1927. doi:10.1143/jjap.30.1924. ISSN 0021-4922. Bibcode: 1991JaJAP..30.1924I. 
  36. ↑ Takeuchi, Tetsuya; Sota, Shigetoshi; Katsuragawa, Maki; Komori, Miho; Takeuchi, Hideo; Amano, Hiroshi; Akasaki, Isamu (April 1, 1997). «Quantum-Confined Stark Effect due to Piezoelectric Fields in GaInN Strained Quantum Wells». Japanese Journal of Applied Physics (Japan Society of Applied Physics) 36 (Part 2, No. 4A): L382–L385. doi:10.1143/jjap.36.l382. ISSN 0021-4922. Bibcode: 1997JaJAP..36L.382T. 
  37. ↑ Takeuchi, Tetsuya; Amano, Hiroshi; Akasaki, Isamu (February 15, 2000). «Theoretical Study of Orientation Dependence of Piezoelectric Effects in Wurtzite Strained GaInN/GaN Heterostructures and Quantum Wells». Japanese Journal of Applied Physics (Japan Society of Applied Physics) 39 (Part 1, No. 2A): 413–416. doi:10.1143/jjap.39.413. ISSN 0021-4922. Bibcode: 2000JaJAP..39..413T. 
  38. ↑ «Nagoya University profile 2008» (PDF). nagoya-u.ac.jp. Αρχειοθετήθηκε από το πρωτότυπο (PDF) στις 17 Οκτωβρίου 2012. 
  39. ↑ «Nagoya University Meet Nagoya University». en.nagoya-u.ac.jp. Ανακτήθηκε στις 14 Νοεμβρίου 2023. 
  40. ↑ 40,0 40,1 40,2 40,3 «Akasaki Isamu». Encyclopedia Britannica. https://www.britannica.com/biography/Isamu-Akasaki. Ανακτήθηκε στις 7 April 2021. 
  41. ↑ «Nobel-Winning Scientist Isamu Akasaki Dies at 92». nippon.com. 2 Απριλίου 2021. Αρχειοθετήθηκε από το πρωτότυπο στις 2 Απριλίου 2021. Ανακτήθηκε στις 2 Απριλίου 2021. 
  42. ↑ «中日文化賞». 中日新聞 CHUNICHI Web. 
  43. ↑ «NEC: News Release 98/11/04-01». Nec.co.jp. Ανακτήθηκε στις 10 Νοεμβρίου 2015. 
  44. ↑ «International Organization for Crystal Growth». Iocg.org. Αρχειοθετήθηκε από το πρωτότυπο στις 21 Ιουλίου 2014. Ανακτήθηκε στις 10 Νοεμβρίου 2015. 
  45. ↑ «IEEE JACK A. MORTON AWARD RECIPIENT» (PDF). ieee.org. Αρχειοθετήθηκε από το πρωτότυπο (PDF) στις 13 Οκτωβρίου 2014. Ανακτήθηκε στις 7 Ιανουαρίου 2014. 
  46. ↑ [1] Αρχειοθετήθηκε December 13, 2012, στο Wayback Machine.
  47. ↑ «Fellow Class of 1999». ieee.org. Αρχειοθετήθηκε από το πρωτότυπο στις 26 Δεκεμβρίου 2012. Ανακτήθηκε στις 23 Φεβρουαρίου 2013. 
  48. ↑ «ECS SSS&T Award». Electrochem.org. Αρχειοθετήθηκε από το πρωτότυπο στις 12 Οκτωβρίου 2014. Ανακτήθηκε στις 10 Νοεμβρίου 2015. 
  49. ↑ «Toray Science and Technology Prize : List of Winners». Toray.com. Αρχειοθετήθηκε από το πρωτότυπο στις 13 Οκτωβρίου 2014. Ανακτήθηκε στις 10 Νοεμβρίου 2015. 
  50. ↑ The Asahi Shimbun Company. «The Asahi Shimbun Company - The Asahi Prize - English Information». Asahi.com. Ανακτήθηκε στις 10 Νοεμβρίου 2015. 
  51. ↑ «Assistance to the Fujiwara Foundation of Science(Nippon Paper Industries Co., LTD.) | Nippon Paper Group». Αρχειοθετήθηκε από το πρωτότυπο στις Απριλίου 11, 2013. Ανακτήθηκε στις Μαρτίου 1, 2013. 
  52. ↑ «Social/Economic Well-Being : Technical Achievement: The Development of Blue Light Emitting Semiconductor Devices - Development of the blue light emitting diode and laser diode is the final link in completing the light spectrum for semiconductor devices». Takeda-foundation.jp. Ανακτήθηκε στις 10 Νοεμβρίου 2015. 
  53. ↑ «IAP - About IAP». Interacademies.net. Ανακτήθηκε στις 10 Νοεμβρίου 2015. 
  54. ↑ «Recipient: 2006 John Bardeen Award». Tms.org. Αρχειοθετήθηκε από το πρωτότυπο στις Μαρτίου 4, 2016. Ανακτήθηκε στις Νοεμβρίου 10, 2015. 
  55. ↑ «NAE Website - Dr. Isamu Akasaki». Nae.edu. Ανακτήθηκε στις 10 Νοεμβρίου 2015. 
  56. ↑ «INAMORI FOUNDATION». Inamori-f.or.jp. Αρχειοθετήθηκε από το πρωτότυπο στις Μαρτίου 4, 2016. Ανακτήθηκε στις Νοεμβρίου 10, 2015. 
  57. ↑ «トピックス / 赤﨑勇・名城大学大学院理工学研究科教授および名古屋大学特別教授へ知的財産特別貢献賞を授与» [Topics / Special Award for Intellectual Property Activities goes to Prof. Isamu Akasaki]. JST (στα Ιαπωνικά). 13 Σεπτεμβρίου 2011. Ανακτήθηκε στις 8 Απριλίου 2011. 
  58. ↑ «Chanda Kochhar among three Indians get Asia Game Changer awards». The Economic Times. 16 Σεπτεμβρίου 2015. Αρχειοθετήθηκε από το πρωτότυπο στις 21 Σεπτεμβρίου 2015. Ανακτήθηκε στις 28 Οκτωβρίου 2020. 
  59. ↑ «Fifth UNESCO Medals for contributions to the development of nanoscience and nanotechnologies ceremony». UNESCO. Φεβρουαρίου 2016. Ανακτήθηκε στις 3 Απριλίου 2021. 
  60. ↑ «Types of Medals». cao.go.jp. 
  61. ↑ «Orders of the Rising Sun». Cao.go.jp. Ανακτήθηκε στις 10 Νοεμβρίου 2015. 
  62. ↑ «Order of Culture». Cao.go.jp. Ανακτήθηκε στις 10 Νοεμβρίου 2015. 
  63. ↑ «Novelist, LED developer awarded». Αρχειοθετήθηκε από το πρωτότυπο στις Απριλίου 11, 2013. Ανακτήθηκε στις Μαρτίου 1, 2013. 
  64. ↑ «M͎͎». Nifty.com. Αρχειοθετήθηκε από το πρωτότυπο στις Σεπτεμβρίου 13, 2016. Ανακτήθηκε στις Νοεμβρίου 10, 2015. 


Ανακτήθηκε από "https://el.wikipedia.org/w/index.php?title=Ισάμου_Ακασάκι&oldid=10300855"