Γουίλλιαμ Μπράντφορντ Σόκλεϋ

Από τη Βικιπαίδεια, την ελεύθερη εγκυκλοπαίδεια
Μετάβαση σε: πλοήγηση, αναζήτηση
Γουίλλιαμ Μπράντφορντ Σόκλεϋ
William Shockley, Stanford University.jpg
Γέννηση 13 Φεβρουαρίου 1910
Λονδίνο, Ηνωμένο Βασίλειο
Θάνατος 12 Αυγούστου 1989 (79 ετών)
Στάνφορντ, Καλιφόρνια ΗΠΑ
Εθνικότητα ΗΠΑ
Ίδρυμα εργασίας Shockley Semiconductor Laboratory
Bell Labs
Πανεπιστήμιο Στάνφορντ
Σπουδές Τεχνολογικό Ινστιτούτο Μασαχουσέτης
Caltech
Διδακτορικός καθηγητής Τζον Σλέιτερ
Γνωστός για Τρανζίστορ
Επηρεάστηκε από {{{επηρεάστηκε}}}

Ο Γουίλλιαμ Μπράντφορντ Σόκλεϋ (αγγλ. William Bradford Shockley , 13 Φεβρουαρίου 1910 - 12 Αυγούστου 1989) ήταν Αμερικανός επιστήμονας ο οποίος το 1956 μαζί με τους Τζον Μπαρντίν και Γουόλτερ Μπράταιην τιμήθηκε με το βραβείο Νόμπελ Φυσικής για την εφεύρεση του τρανζίστορ.[1]

Βιογραφία[Επεξεργασία | επεξεργασία κώδικα]

Πρώτα χρόνια[Επεξεργασία | επεξεργασία κώδικα]

Ο Σόκλεϋ γεννήθηκε στις 13 Φεβρουαρίου του 1910 στο Λονδίνο της Αγγλίας από Αμερικανούς γονείς και μεγάλωσε στο πατρικό του σπίτι στο Πάλο Άλτο της Καλιφόρνια. Ο πατέρας του Γουίλλιαμ ο πρεσβύτερος ήταν μηχανικός ορυχείων και μιλούσε οχτώ γλώσσες. Η μητέρα του Μαίρη μεγάλωσε στην Αμερικανική Δύση, αποφοίτησε από το Πανεπιστήμιο Στάνφορντ και ήταν η πρώτη γυναίκα που έγινε αναπληρώτρια επιθεωρητής ορυχείων.[2]

Πήρε το πτυχίο του στη φυσική από το Τεχνολογικό Πανεπιστήμιο της Καλιφόρνια το 1932. Όταν ακόμα ήταν φοιτητής παντρεύτηκε την Iowan Jean Bailey τον Αύγουστο του 1933. Ο Σόκλεϋ πήρε το διδακτορικό του 1936 από το ΜΙΤ. Η διδακτορική του διατριβή είχε τίτλο Electronic Bands in Sodium Chloride και του προτάθηκε από τον διδακτορικό του καθηγητή Τζον Σλέιτερ. Μέτα την εντάχθηκε σε μια ομάδα έρευνας με επικεφαλής τον Κλίντον Τζόζεφ Ντέιβισον στα Bell Labs στο Νιου Τζέρσεϊ. Τα επόμενα χρόνια που ακολούθησαν ήταν παραγωγικά για τον Σόκλεϋ. Δημοσίευσε αρκετά θεμελιώδη άρθρα σχετικά με τη φυσική στερεάς κατάστασης στο περιοδικό Physical Review. Το 1938 πήρε την πρώτη του ευρεσιτεχνία για τον πολλαπλασιαστή ηλεκτρονίων.

Όταν ξέσπασε ο Δεύτερος Παγκόσμιος Πόλεμος ο Σόκλεϋ ασχολήθηκε με την έρευνα στα ραντάρ. Τον Μάιο του 1942 πήρε άδεια από τα Bell Labs για να γίνει διευθυντής έρευνας στην ομάδα ανθυποβρυχιακού πολέμου του Πανεπιστημίου Κολούμπια.[3] Η έρευνα του περιλάμβανε ανάπτυξη μεθόδων αντίστασης στα υποβρύχια που έκαναν επίθεση στις νηοπομπές, βελτιώνοντας τις διατάξεις των βομβών βάθους. Αυτή η εργασία απαιτούσε τη συνεχή μετακίνηση του Σόκλεϋ στο Πεντάγωνο και στη Ουάσιγκτον όπου γνώρισε πολλούς υψηλόβαθμους αξιωμαατικούς και κυβερνητικούς αξιωματούχους. Το 1944 οργάνωσε πρόγραμμα εκπαίδευσης για τους πιλότους του Boeing B-29 Superfortress στο πως να χρησιμοποιούν σωστά το νέο στόχαστρο βομβών με ραντάρ. Στα τέλη του 1944 έκανε τρίμηνο ταξίδι για να αξιολογήσει τα αποτελέσματα. Για αυτό το έργο του ο Υπουργός Πολέμου των Ηνωμένων Πολιτειών Πίτερ Πάτερσον τον βράβευσε στις 17 Οκτωβρίου 1946 με το Μετάλλιο Αξίας.

Το Ιούλιο του 1945, το Υπουργείο Πολέμου ζήτησε από τον Σόκλεϋ να ετοιμάσει μια αναφορά με τις πιθανές απώλειες σε μια εισβολή στην Ιαπωνική ενδοχώρα. Ο Σόκλεϋ κατέληξε:

    Εάν η μελέτη δείχνει ότι η συμπεριφορά των εθνών σε όλες τις ιστορικές περιπτώσεις συγκρίσιμες με της Ιαπωνίας έχει στην πραγματικότητα ήταν πάντοτε σταθερή με τη συμπεριφορά των στρατευμάτων στη μάχη, τότε σημαίνει ότι ο αριθμός των νεκρών των Ιαπώνων μέχρι την ήτα της Ιαπωνίας θα ήταν μεγαλύτερος από αυτόν των Γερμανών. Με άλλα λόγια, πιθανότατα θα πρέπει να σκοτώσουμε το λιγότερο 5 με 10 εκατομμύρια Ιάπωνες. Αυτό μπορεί να μας κοστίσει μεταξύ 1.7 και 4 εκατομμύρια απώλειες συμπεριλαμβανόμενου 400.000 με 800.000 νεκρούς.[4]    

Αυτή η πρόβλεψη επηρέασε την απόφαση για την ρίψη ατομικής βόμβας στη Χιροσίμα και το Ναγκασάκι για να αναγκάσει την Ιαπωνία να παραδοθεί χωρίς εισβολή.[5]

Τρανζίστορ στερεάς κατάστασης[Επεξεργασία | επεξεργασία κώδικα]

Μόλις τελείωσε ο πόλεμος τα Bell Labs ίδρυσαν Τμήμα Στερεάς Φυσικής με επικεφαλής τον Σόκλεϋ και τον χημικό Στάνλεϊ Μόργκαν, το τμήμα επίσης περιλάμβανε τους Τζον Μπαρντίν, Γουόλτερ Μπράταιην τον φυσικό Τζέραλντ Πίρσον τον χημικό Ρόμπερτ Γκάμπνεϊ τον ειδικό στα ηλεκτρονικά Χίλμπερτ Μούρ και αρκετούς τεχνικούς. Ο στόχος τους ήταν να βρουν κάποια στερεάς κατάστασης ενισχυτή για να αντικαταστήσει τις εύθραστες γυάλινες λυχνίες κενού. Οι πρώτες τους προσπάθειες βασίστηκαν στις ιδέες του Σόκλεϋ για την χρησιμοποίηση εξωτερικού ηλεκτρικού πεδίου σε έναν ημιαγωγό για να επηρεάσει την αγωγιμότητα του. Αυτά τα πειράματα απέτυχαν όλα σε διάφορες παραλλαγές με διάφορα υλικά. Η ομάδα ήταν σε στασιμότητα μέχρι που ο Μπαρντίν πρότεινε μια θεωρία που περιλάμβανε τις καταστάσεις επιφάνειας και εμπόδιζε το πεδίο να διεισδύσει τον ημιαγωγό. Η ομάδα άλλαξε την εστίασή του για να μελετήσει αυτές τις καταστάσεις επιφάνειας και περίπου κάθε μέρα βρισκόντουσαν για να συζητήσουν για την πρόοδο της δουλειάς. Η ταύτιση της ομάδας ήταν εξαιρετική, και οι ιδέες ανταλλασσόταν ελεύθερα.[6]

Μέχρι τον χειμώνα του 1946 είχαν αρκετά αποτελέσματα έτσι ώστε το Μπράταιην δημοσίευσε άρθρο στο Physical Review για τις καταστάσεις επιφάνειας. Ο Μπράταιην ξεκίνησε τα πειράματα για να μελετήσει τις καταστάσεις επιφάνειας με παρατηρήσεις που έκανε ενώ έστρεφε φωτεινή δέσμη προς τον ημιαγωγό. Αυτό οδήγησε σε περισσότερες δημοσιεύσεις (μια εκ τον οποίον μαζί με τον Σόκλεϋ) που έδειξαν ότι η πυκνότητα των καταστάσεων επιφάνειας ήταν πολύ μεγαλύτερη που θα δικαιολογούσε τα αποτυχημένα πειράματα. Ο ρυθμός της εργασίας αυξήθηκε σημαντικά όταν άρχισαν να περιβάλλουν το σημείο επαφών μεταξύ των ημιαγωγών και των αγωγών με ηλεκτρολύτες. Ο Μουρ κατασκεύασε ένα κύκλωμα που τους επέτρεψε να μεταβάλουν τη συχνότητα του σήματος εισόδου εύκολα. Τελικά άρχισαν να παίρνουν κάποιες ενδείξεις ενίσχυσης ισχύος όταν η Πίρσον, ακολουθώντας πρόταση του Σόκλεϋ, έβαλε υπό τάση σταγονίδιο βορικής γλυκόλης (μια παχύρρευστη χημική ουσία που δεν εξατμίζεται) κατά μήκος μια p-n juction.[7]

Οι Τζον Μπαρντίν, Γουίλλιαμ Σόκλεϋ και Γουόλτερ Χάουζερ Μπράταιην στα Bell Labs, 1948.

Ο Δεκέμβριος του 1947 ήταν ο Χρυσός Μήνας των Bell Labs, όταν ο Μπαρντίν και ο Μπράταιην - δουλεύοντας χωρίς τον Σόκλεϋ - επέτυχαν στην δημιουργία του τρανζίστορ επαφής που έκανε ενίσχυση. Μέσα στον επόμενο μήνα οι δικηγόροι των Bell Labs άρχισαν τις δουλείες στις αιτήσεις για την ευρεσιτεχνία.

Οι δικηγόροι των Bell Labs σύντομα ανακάλυψαν ότι η αρχή του αποτελέσματος που είχε προβλέψει και οι συσκευές που βασίζονται σε αυτό έχουν ήδη κατοχυρωθεί με δίπλωμα ευρεσιτεχνίας το 1930 από τον Julius Lilienfeld, ο οποίος κατέθεσε το MESFET (παρόμοιο με το δίπλωμα ευρεσιτεχνίας στον Καναδά) στις 22 Οκτωβρίου 1925.[8][9]Παρά το γεγονός ότι το δίπλωμα ευρεσιτεχνίας εμφανίστηκε "εύθραυστο" (δεν θα μπορούσε να λειτουργήσει) οι δικηγόροι διπλωμάτων ευρεσιτεχνίας με βάση μία από τις τέσσερις αιτήσεις για διπλώματα ευρεσιτεχνίας μόνο από το σχεδιασμό Μπαρντίν-Μπράταιν σημείο επαφής. Τρεις άλλοι κάλυψαν τον ηλεκτρολύτη με βάση τρανζίστορ με τους Μπαρντίν, Γκίμπνεϊ και Μπράταιην ως εφευρέτες. Το όνομα Σόκλεϋ δεν ήταν σε καμία από αυτές τις αιτήσεις διπλωμάτων ευρεσιτεχνίας. Αυτό εξόργισε τον Σόκλεϋ, που σκέφτηκε ότι το όνομά του θα πρέπει επίσης να είναι στο διπλώματα ευρεσιτεχνίας, διότι το έργο βασίστηκε στην ιδέα πεδίου του. Ακόμη προσπάθησε να κάνει αίτηση για δίπλωμα ευρεσιτεχνίας μόνο με το δικό του και έκανε γνωστές τις προθέσεις τους Μπαρντίν και Μπράταιην.[10]

Ταυτόχρονα, συνέχισε κρυφά το έργο για να φτιάξει ένα διαφορετικό είδος τρανζίστορ βασιζόμενο σε κόμβους, αντί των επαφών σημείου. Περίμενε ότι αυτό το είδος σχεδιασμού θα είναι πιο πιθανό να γίνει εμπορικά βιώσιμο. Το τρανζίστορ σημείο επαφής, πίστευε, θα μπορούσε να αποδειχθεί εύθραυστο και δύσκολο να κατασκευαστεί. Ο Σόκλεϋ επεξεργάστηκε μια πλήρη περιγραφή του νέου τρανζίστορ που ο ίδιος αποκάλεσε "σάντουιτς" τρανζίστορ, και μια πρώτη απόδειξη της αρχής δημοσίευσε στις 7 Απριλίου 1949.

Αυτό οδήγησε στην εφεύρεση του διπολικό τρανζίστορ, το οποίο ανακοινώθηκε σε συνέντευξη τύπου στις 4 Ιουλίου 1951. Ο Σόκλεϋ πήρε για αυτή την εφεύρεση δίπλωμα ευρεσιτεχνίας στις 25 Σεπτεμβρίου του 1951. Διαφορετικές μέθοδοι κατασκευής για τη συγκεκριμένη συσκευή είχαν αναπτυχθεί τα επόμενα χρόνια, αλλά αυτά με βάση τη διαχυτική / φωτολιθογραφική διαδικασία έγινε γρήγορα η μέθοδος επιλογής για πολλές εφαρμογές. Σύντομα το τρανζίστορ σημείου εξαλείφθηκε , και αυτό και οι απόγονοι του κατείχαν με συντριπτική πλειοψηφία δεσπόζουσα θέση στην αγορά για πολλά χρόνια. Ο Σόκλεϋ συνέχισε ως επικεφαλής της ομάδας για να οδηγήσει ένα μεγάλο μέρος της προσπάθειας στα Bell Labs για να βελτιώσουν και να το κατασκευάσουν για δύο ακόμη χρόνια.

Εν τω μεταξύ, ο Σόκλεϋ δούλευε πυρετωδώς στο σπουδαίο έργο του Electrons and Holes in Semiconductors το οποίο τελικά εκδόθηκε ως 558 σέλιδη διατριβή το 1950. Σε αυτό ο Σόκλεϋ περίγραφε τις κρίσιμες ιδέες κλίσης και διάδοσης και τις διαφορικές εξισώσεις που περιγράφουν την κίνηση τον ηλεκτρονίων μέσα σε κρυστάλλους στερεάς κατάστασης. Περιγράφεται επίσης και η εξίσωση του Σόκλεϋ. Αυτό το έργο έγινε η «βίβλος» για μια ολόκληρη γενιά επιστημόνων που δούλευαν για να κατασκευάσουν νέους τρανζίστορ και άλλες συσκευές βασισμένες σε ημιαγωγούς.

Το 1951, εκλέχθηκε μέλος της Εθνικής Ακαδημίας Επιστημών. Δυο χρόνια αργότερα του απονεμήθηκε από την Ακαδημία το βραβείο Comstock[11] στη Φυσική.

Η επακόλουθη δημοσιότητα από την «εφεύρεση του τρανζίστορ» ώθησε τον Σόκλεϋ στο προσκήνιο, προς μεγάλη λύπη των Μπαρντίν και Μπράταιην. Παρόλα αυτά η διοίκηση των Bell Labs πάντα και τους τρεις εφευρέτες ως ομάδα, αν και ο Σόκλεϋ διόρθωνε όσους έδιναν την εφεύρεση μόνο σ'αυτόν[12], τελικά αποξένωσε τους Μπαρντίν και Μπράνταιην και και τους μπλόκαρε στο να δουλέψουν στο τρανζίστορ. Ο Μπαρντίν άρχισε να ακολουθεί μια θεωρία για την υπεραγωγιμότητα και έφυγε από τα Bell Labs το 1951. Ο Μπράνταιην αρνήθηκε να δουλέψει περαιτέρω με τον Σόκλεϋ και μετατέθηκε σε άλλη ομάδα. Ούτε ο Μπαρντίν ούτε και Μπράταιην δεν είχαν σχέση με την ανάπτυξη του μετά τον πρώτον χρόνο της εφεύρεσης του.[13]

Ο τραχύς τρόπος διοίκησης του Σόκλεϋ είχε ως αποτέλεσμα την προαγωγή στα Bell Labs, τα οποία αναγνώριζαν ότι ήταν σημαντικός ερευνητικός επιστήμονας και συνεργάτης. Ο Σόκλεϋ ήθελε τη δύναμη και το κέρδος που ένιωθε άξιζε. Πήρε άδεια από τα Bell Labs το 1953 και μεταφέρθηκε πίσω στο Ινστιτούτο Τεχνολογίας της Καλιφόρνια (Caltech) για τέσσερις μήνες ως επισκέπτης καθηγητής.

Shockley Semiconductor[Επεξεργασία | επεξεργασία κώδικα]

Τελικά του δόθηκε η ευκαιρία να φτιάξει τη δική του εταιρεία, ως τμήμα μιας επιτυχημένης εταιρίας ηλεκτρονικών ενός φίλου από το Caltech. Το 1955 ο Σόκλεϋ εντάχθηκε στην Beckman Instruments ως Διευθυντής του νεοσύστατου τμήματος Shockley Semiconductor Laboratory. Με το κύρος του και και το κεφάλαιο από την Beckman, ο Σόκλεϋ προσπάθησε να δελεάσει μερικούς από τους πρώην συναδέλφους του από τα Bell Labs να έρθουν στο νέο εργαστήριό του, αλλά κανένας από αυτούς δεν ήρθε. Αντ 'αυτού, ξεκίνησε να ψάχνει στα πανεπιστήμια για τους λαμπρότερους πτυχιούχους για να φτιάξει μια εταιρεία από το μηδέν, μια εταιρία που θα πηγαίνει με «το δικό του δρόμο».

Ο «δικός του δρόμος» γενικά θα μπορούσε να συνοψιστεί ως αυταρχικός αυξανόμενα παρανοϊκός. Σε ένα πολύ γνωστό περιστατικό, ισχυρίστηκε ότι ο κομμένος αντίχειρας μιας γραμματέας ήταν αποτέλεσμα κακόβουλης πράξης και ζητούσε δοκιμές με ανιχνευτή ψεύδους για να βρει τον ένοχο.[14] Αργότερα αποδείχθηκε ότι το κόψιμο προκλήθηκε από μια σπασμένη πινέζα στην πόρτα του γραφείου, και μετά από αυτό το ερευνητικό προσωπικό γινόταν όλο και πιο εχθρικό. Εν τω μεταξύ, οι απαιτήσεις του για την δημιουργία μιας νέας και τεχνικά δύσκολης συσκευής (αρχικά ονομάστηκε δίοδος του Σόκλεϋ και τώρα μετά από αλλαγές έγινε το θυρίστορ), σήμαινε ότι το έργο κινούταν πολύ αργά. Στα τέλη του 1957, οκτώ από τους ερευνητές του Σόκλεϋ, οι οποίοι αποκαλούσαν τους εαυτούς τους "Το προδοτικό Οκτώ," παραιτήθηκαν μετά την απόφαση του Σόκλεϋ να μην συνεχίσει την έρευνα στους ημιαγωγούς με βάση το πυρίτιο.[15] Μετά από σύσκεψη με τον Sherman Fairchild και την παραχώρηση κεφαλαίου εκκίνησης από την Fairchild Camera and Instrument Corporation ξεκίνησαν την Fairchild Semiconductor. Στους «Οχτώ προδότες» ήταν και οι Ρόμπερτ Νόις και Γκόρντον Μουρ οι οποίοι αργότερα έφυγαν από την Fairchild για να ιδρύσουν την Intel Corporation. Άλλες εταιρίες που προέκυψαν από την Fairchild Semiconductor αποτελούν οι National Semiconductor και Advanced Micro Devices.

Έτσι, σε μια περίοδο μόλις 20 ετών, οκτώ από τους πρώην υπαλλήλους του Σόκλεϋ δημιούργησαν 65 νέες επιχειρήσεις, οι οποίες στη συνέχεια έκαναν το ίδιο....[16] Η Shockley Semiconductor και οι παραπάνω εταιρίες που προέκυψαν από αυτή δημιούργησαν τον πυρήνα αυτού που ονομάζουμε σήμερα Silicon Valley, που άλλαξε τον κόσμο των ηλεκτρονικών και πράγματι τον ίδιο τον κόσμο.

Ενώ ο Σόκλεϋ ακόμα προσπαθούσε να κάνει τη συσκευή τριών καταστάσεων του να λειτουργήσει, η Fairchild και η Texas Instruments παρουσίασαν τα πρώτα ολοκληρωμένα κυκλώματα, καθιστώντας την εργασία του Σόκλεϋ στην εν λόγω περιοχή ουσιαστικά περιττή. Ο Σόκλεϋ τελικά κατάφερε να κάνει την συσκευή του να λειτουργήσει αλλά απέτυχε να την κάνει εμπορικά επιτυχής.

Το 1961 ο Σόκλεϋ και ο Hans Queisser υπολόγισαν τη μέγιστη θεωρητική απόδοση ενός απλού ηλιακού κυττάρου η οποία αργότερα έγινε γνωστή ως το «όριο Σόκλεϋ-Queisser».

Η εταιρία του πουλήθηκε το 1960 και κατέληξε τμήμα της ITT Corporation το 1968.

Πρόσθετα[Επεξεργασία | επεξεργασία κώδικα]

Ο Σόκλεϋ ήταν φημισμένος ομιλητής, καθηγητής και ερασιτέχνης ταχυδακτυλουργός. Μια φορά στο τέλος της ομιλίας παρουσίασε ένα μπουκέτο ρόδα. Επίσης ήταν γνωστός για τις πλάκες του.[17] Κατέληξε γνωστός ορειβάτης, τις πλαγιές Shawangunks στον ποταμό Hudson Valley, όπου μια διαδρομή σε μια προεξοχή πήρε το όνομα του και είναι γνωστή μέχρι σήμερα ως «οροφή Σόκλεϋ."[7]

Ήταν ο πρώτος που πρότεινε μια κανονική λογαριθμική κατανομή για να μοντελοποιήσει τη διαδικασία δημιουργίας επιστημονικών ερευνητικών εργασιών.[18]

Ήταν άθεος.[19]

Αργότερα χρόνια[Επεξεργασία | επεξεργασία κώδικα]

Ο Σόκλεϋ χώρισε με την γυναίκα του Jean το 1954. Μέτα την ίδρυση της Shortley Semiconductor στις 23 Νοεμβρίου του 1955 παντρεύτηκε την Emmy Lanning η οποία ήταν καθηγήτρια ψυχιατρικής νοσηλευτικής από τη Νέα Υόρκη. Ο γάμος τους διάρκεσε μέχρι τον θάνατο του το 1989.

Τον Ιούλιο του 1961 ο Σόκλεϋ, η γυναίκα του και γιος τους Ντικ είχαν σοβαρό τροχαίο ατύχημα που πήρε μήνες μέχρι να αναρρώσει πλήρως από τα τραύματα του. Το τελευταίο δίπλωμα ευρεσιτεχνίας του Σόκλεϋ του χορηγήθηκε το 1968 για μια πολύπλοκη ημιαγωγική συσκευή.

Δηλώσεις σχετικά με τον πληθυσμό και τη γενετική[Επεξεργασία | επεξεργασία κώδικα]

Αργότερα στη ζωή του Σόκλεϋ έδειξε μεγάλο ενδιαφέρον σε ερωτήσεις σχετικά με την φυλή, την νοημοσύνη και την ευγονική. Σκεφτόταν ότι αυτό το έργο ήταν σημαντικό για το γενετικό μέλλον τον ανθρώπων και κατέληξε να την περιγράψει ως το πιο σημαντικό από τα έργα του έστω και αν εκφράζοντας τέτοιες πολιτικά μη δημοφιλείς απόψεις έθετε σε κίνδυνο την φήμη του. Όταν ρωτήθηκε γιατί έπαιρνε θέσεις συνδεδεμένες με την πολιτική αριστερά και δεξιά, απάντησε ότι ο στόχος του ήταν «η εφαρμογή της επιστημονικής εφευρετικότητας για τις επιλύσεις των προβλημάτων των ανθρώπων.»[20]

Θάνατος[Επεξεργασία | επεξεργασία κώδικα]

Πέθανε το 1989 από καρκίνο του προστάτη.[21]

Μέχρι τη στιγμή του θανάτου του ήταν σχεδόν τελείως αποξενωμένος από τους περισσότερους φίλους και την οικογένειά του, εκτός από τη σύζυγό του. Τα παιδιά του ανέφεραν ότι πληροφορήθηκαν τον θάνατό του μόνο μέσω των έντυπων μέσων ενημέρωσης.[22]


Διακρίσεις[Επεξεργασία | επεξεργασία κώδικα]

  • Πήρε το βραβείο Comstock στη Φυσική από την Εθνική Ακαδημία Επιστημών το 1953.[23]
  • Ήταν ο πρώτος που πήρε το βραβείο Oliver E. Buckley, το 1953.
  • Το 1956 πήρε το Νόμπελ Φυσικής.
  • Το 1963 πήρε το μετάλλιο Holley.

Ευρεσιτεχνίες[Επεξεργασία | επεξεργασία κώδικα]

Ο Σόκλεϋ είχε πάρει πάνω από 90 ευρεσιτεχνίες. Μερικά σημαντικά είναι:

  • US2502488 "Semiconductor Amplifier" Η αίτηση έγινε το 1948. Η πρώτη πατέντα σχετικά με τρανζίστορ.
  • US2569347 "Circuit element utilizing semiconductive material"
  • US2655609 "Bistable Circuits" Έκανε την αίτηση το 1952.
  • US2787564 "Forming Semiconductive Devices by Ionic Bombardment"
  • US3031275 "Process for Growing Single Crystals".
  • US3053635 "Method of Growing Silicon Carbide Crystals".

Βιβλιογραφία[Επεξεργασία | επεξεργασία κώδικα]

Άρθρα από τον Σόκλεϋ[Επεξεργασία | επεξεργασία κώδικα]

  • An Electron Microscope for Filaments: Emission and Adsorption by Tungsten Single Crystals, R. P. Johnson and W. Shockley, Phys. Rev. 49, 436 - 440 (1936).
  • Optical Absorption by the Alkali Halides, J. C. Slater and W. Shockley, Phys. Rev. 50, 705 - 719 (1936).
  • Electronic Energy Bands in Sodium Chloride, William Shockley, Phys. Rev. 50, 754 - 759 (1936).
  • The Empty Lattice Test of the Cellular Method in Solids, W. Shockley, Phys. Rev. 52, 866 - 872 (1937).
  • On the Surface States Associated with a Periodic Potential, William Shockley, Phys. Rev. 56, 317 - 323 (1939).
  • The Self-Diffusion of Copper, J. Steigman, W. Shockley and F. C. Nix, Phys. Rev. 56, 13 - 21 (1939).

Βιβλία από τον Σόκλεϋ[Επεξεργασία | επεξεργασία κώδικα]

  • Shockley, William – Electrons and holes in semiconductors, with applications to transistor electronics, Krieger (1956) ISBN 0-88275-382-7.
  • Shockley, William and Gong, Walter A – Mechanics Charles E. Merrill, Inc. (1966).
  • Shockley, William and Pearson, Roger – Shockley on Eugenics and Race: The Application of Science to the Solution of Human Problems Scott- Townsend (1992) ISBN 1-878465-03-1.

Βιβλία για τον Σόκλεϋ[Επεξεργασία | επεξεργασία κώδικα]

  • Joel N. Shurkin; Broken Genius: The Rise and Fall of William Shockley, Creator of the Electronic Age. New York: Palgrave Macmillan (2006) ISBN 1-4039-8815-3
  • Michael Riordan and Lillian Hoddeson; Crystal Fire: The Invention of the Transistor and the Birth of the Information Age. New York: Norton (1997) ISBN 0-393-31851-6 pbk.
  • Roger Pearson; Shockley on Eugenics and Race: The Application of Science to the Solution of Human Problems. Washington DC: Scott Townsend Publishers (1992) ISBN 1-878465-26-0 pbk.

Παραπομπές[Επεξεργασία | επεξεργασία κώδικα]

  1. «William Shockley Nobel prize». Nobel Prize. http://www.nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/1956/shockley-bio.html. Ανακτήθηκε στις 21 February 2012. 
  2. Broken Genius, σελ 4
  3. Broken Genius σελ. 65–67
  4. Giangreco, D. M. (1997). "Casualty Projections For the U.S. Invasions Of Japan, 1945-1946". Journal of Military History 61 (3): 568. http://home.kc.rr.com/casualties/. 
  5. Newman, Robert P. (1998). "Hiroshima and the Trashing of Henry Stimson". The New England Quarterly 71 (1): 27. 
  6. Ο Μπράταιην στο Crystal Fire σελ. 127
  7. 7,0 7,1 Crystal Fire Σελ.132
  8. Πρότυπο:Patent
  9. Lilienfeld[νεκρός σύνδεσμος]Πρότυπο:Wayback
  10. «William Shockley». IEEE Global History Network. IEEE. http://www.ieeeghn.org/wiki/index.php/William_Shockley. Ανακτήθηκε στις 18 July 2011. 
  11. Comstock Prize
  12. http://www.pbs.org/transistor/album1/shockley/shockley3.html
  13. Crystal Fire σελ. 278
  14. Crystal Fire σελ. 247
  15. 10 Days That Changed History, By ADAM GOODHEART, Published: July 2, 2006 - NYTimes.com
  16. A Legal Bridge Spanning 100 Years: From the Gold Mines of El Dorado to the “Golden” Startups of Silicon Valley by Gregory Gromov
  17. Crystal Fire σελ. 45
  18. The Artful Universe by John D. Barrow, Clarendon Press, Oxford, 1995, σελ. 239
  19. Crystal Fire σελ. 133
  20. Shockley on Eugenics and Race σελ. 48
  21. "William B. Shockley, 79, Creator of Transistor and Theory on Race". New York Times. 14 August 1989. http://www.nytimes.com/learning/general/onthisday/bday/0213.html. Ανακτήθηκε στις 2007-07-21. «He drew further scorn when he proposed financial rewards for the genetically disadvantaged if they volunteered for sterilization.» 
  22. Bill Shockley, Part 3 of 3
  23. «Comstock Prize in Physics». National Academy of Sciences. http://www.nasonline.org/site/PageServer?pagename=AWARDS_comstock. Ανακτήθηκε στις 13 February 2011.